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Data di pubblicazione Titolo Autore(i) Tipo File
1-mag-2019 Stability of H-Terminated Diamond MOSFETs With V 2 O 5 /Al 2 O 3 as Gate Insulator Verona, C; Benetti, M; Cannata, D; Ciccognani, W; Colangeli, S; Di Pietrantonio, F; Limiti, E; Marinelli, M; Verona-Rinati, G Articolo su rivista
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